机译:使用O_2等离子体对HfO_2栅介电层有效地钝化Ge(100)
机译:ALD驱动HFO2和AL2O3缓冲层对基于DY基介质界面化学和电特性的比较钝化作用
机译:HFO2封装对少数层MOS2晶体管电气性能的影响,用ALD HFO2作为背栅电介质
机译:用于高级MIS电容器的超薄HfO2 / Al2O3 / HfO2三层栅极电介质的电气特性
机译:使用远程等离子处理的栅极电介质和钝化层的氮化镓-电介质界面形成。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:使用O-2等离子体对HfO2栅极介电层的Ge(100)进行有效电钝化